5秒后页面跳转
2SK1298-E PDF预览

2SK1298-E

更新时间: 2024-01-08 23:19:05
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1298-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.38Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1298-E 数据手册

 浏览型号2SK1298-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1298-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1298-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1298-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1298-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1298-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SK1298  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0918-0200  
(Previous: ADE-208-1256)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device  
Can be driven from 5 V source  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003ZA-A  
(Package name: TO-3PFM)  
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
S
1
2
3
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

与2SK1298-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SK1299 HITACHI Silicon N-Channel MOS FET

获取价格

2SK1299(L) HITACHI Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

获取价格

2SK1299(L) RENESAS 3A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

获取价格

2SK1299(L)-(1) HITACHI Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

获取价格

2SK1299(L)|2SK1299(S) ETC

获取价格

2SK1299(S) HITACHI Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

获取价格