5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-45F | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.45 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1290-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK1292 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1292-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SK1293 | ETC |
获取价格 |
2SK1293 Data Sheet | Data Sheet[07/1993] |
|
| 2SK1294 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK1295 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK1296 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1297 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1298 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1298 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
