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2SK1280

更新时间： 2024-01-31 17:41:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
N-Channel MOS-FET(500V, 0.5Ohm, 18A, 150W)

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2SK1280 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
其他特性：FREDFET配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：920 ns最大开启时间（吨）：270 ns
Base Number Matches：1

2SK1280 数据手册

 浏览型号2SK1280的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK1280  
F-V Series  
500V 0,5W 18A 150W  
> Features  
> Outline Drawing  
- Include Fast Recovery Diode  
- High Voltage  
- Low Driving Power  
> Applications  
- Motor Control  
- Inverters  
- Choppers  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
500  
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
18  
72  
A
D
I
A
D(puls)  
Continous Reverse Drain Current  
Gate-Source-Voltage  
I
18  
A
DR  
V
±20  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
150  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
500  
2,1  
Typ.  
3,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
ID=10mA  
VDS=500V  
V
4,0  
V
GS(th)  
I
10  
500  
µA  
DSS  
VGS=0V  
VGS=±20V  
ID=9A  
VDS=0V  
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
10  
0,35  
15  
100  
0,5  
nA  
W
S
GSS  
VGS=10V  
VDS=25V  
R
DS(on)  
ID=9A  
g
8
fs  
VDS=25V  
C
2400  
300  
150  
35  
3600  
450  
220  
50  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=300V  
ID=18A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
150  
450  
180  
0,85  
150  
220  
650  
270  
1,6  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=25W  
t
d(off)  
t
f
IF=IDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
SD  
t
200  
ns  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
35  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
0,83 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX -75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com  
12

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