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2SK1167

更新时间: 2024-11-07 06:25:43
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1167 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.37
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.36 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1167 数据手册

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2SK1167, 2SK1168  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0915-0200  
(Previous: ADE-208-1253)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A  
(Package name: TO-3P)  
D
1. Gate  
G
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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