是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.37 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 450 V | 最大漏极电流 (ID): | 15 A |
最大漏源导通电阻: | 0.36 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1167|2SK1168 | ETC |
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2SK1167-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1168 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1168 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1168-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1169 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1169 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1169|2SK1170 | ETC |
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2SK1169-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK117 | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTIONS TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |