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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ409 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ409(L) | RENESAS |
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20A, 100V, 0.22ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SJ409(S)TL | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SJ409(S)TR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ409L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ409S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ40B | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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| 2SJ40C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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| 2SJ40D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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| 2SJ40E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC |
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