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2SJ408S

更新时间: 2024-02-01 05:47:09
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 61K
描述
50A, 60V, 0.028ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HDPAK-3

2SJ408S 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.31Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.028 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ408S 数据手册

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2SJ408(L), 2SJ408(S)  
Silicon P-Channel MOS FET  
November 1996  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Suitable for Switching regulator, DC - DC converter  
Avalanche Ratings  
Outline  
4
HDPAK  
4
3
1
2
D
1
2
3
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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