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2SJ312(2-10S1B)

更新时间： 2024-02-29 19:33:52
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 385K
描述
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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2SJ312(2-10S1B) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred包装说明：LEAD FREE, 2-10S1B, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ312(2-10S1B) 数据手册

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2SJ312  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Gate leakage current  
I
V
V
= ±16 V, V = 0 V  
―
―
―
―
±10  
−100  
―
μA  
μA  
V
GSS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
Drain cut−off current  
I
= −60 V, V  
= 0 V  
= 0 V  
DSS  
(BR) DSS  
Drain−source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V
I
= −10 mA, V  
−60  
−0.8  
―
―
D
V
V
V
V
V
= −10 V, I = −1 mA  
―
−2.0  
190  
120  
―
V
th  
DS  
GS  
GS  
DS  
D
= −4 V, I = −5 A  
130  
80  
D
Drain−source ON resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
= −10 V, I = −7 A  
―
D
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
|Y |  
fs  
= −10 V, I = −7 A  
5.0  
―
8.0  
1200  
220  
550  
S
D
C
C
―
iss  
V
= −10 V, V  
= 0 V, f = 1 MHz  
GS  
pF  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
―
―
DS  
rss  
C
―
―
oss  
Rise time  
t
―
―
―
20  
30  
25  
―
―
―
r
Turn−on time  
t
on  
Switching time  
ns  
Fall time  
t
f
Turn-off time  
t
―
―
100  
45  
―
―
off  
Total gate charge (Gate−source  
plus gate−drain)  
Q
g
V
≈ −48 V, V  
= −10 V, I = −14 A  
nC  
DD  
GS  
D
Gate−source charge  
Q
―
―
30  
15  
―
―
gs  
Gate−drain (“miller”) charge  
Q
gd  
Source-Drain Ratings and Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
―
Typ.  
―
Max  
−14  
−56  
Unit  
A
Continuous drain reverse current  
(Note 1)  
I
―
―
DR  
Pulse drain reverse current  
(Note 1)  
I
―
―
A
DRP  
Forward voltage (diode)  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
V
I
I
= −14 A, V  
= −14 A, V  
= 0 V  
= 0 V  
―
―
―
―
1.7  
―
V
DSF  
DR  
DR  
GS  
GS  
t
110  
0.18  
ns  
μC  
rr  
dI  
/ dt = 50 A / μs  
DR  
Q
―
rr  
Marking  
Note 2: A line under a Lot No. identifies the indication of product  
Labels.  
Not underlined: [[Pb]]/INCLUDES > MCV  
Underlined: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]  
J312  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to  
environmental matters such as the RoHS compatibility of Product.  
The RoHS is the Directive 2002/95/EC of the European Parliament  
and of the Council of 27 January 2003 on the restriction of the use of  
certain hazardous substances in electrical and electronic equipment.  
Note 2  
2
2009-09-29  
123456

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与2SJ312(2-10S1B)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SJ312(TO-220FL) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, TO-220FL, 3 PIN, F
2SJ312(TO-220SM) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, TO-220SM, 3 PIN, F
2SJ312_07 TOSHIBA

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2SJ312_09 TOSHIBA

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2SJ313 TOSHIBA

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