Datasheet > 2SJ168(TE85L,F)

2SJ168(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-20 15:30:51

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	312K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3F1F, S-MINI, SC-59, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ168(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.15	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	22 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ168(TE85L,F) 数据手册

2SJ168

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

2SJ168

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Analog Switch Applications

Interface Applications

•

Excellent switching time: t = 14 ns (typ.)

High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min)

@I = −50 mA

•

Low on resistance: R

= 1.3 Ω (typ.) @ I = −50 mA

DS (ON) D

Enhancement-mode

Complementary to 2SK1062

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

−60

±20

DSS

Gate-source voltage

GSS

JEDEC

JEITA

―

−200

−800

200

Drain current

Pulse

SC-59

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

°C

stg

TOSHIBA

2-3F1F

150

Weight: 0.012 g (typ.)

Storage temperature range

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note: This transistor is the electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

Marking

2007-11-01

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

2SJ168(TE85L,F) 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SJ168	TOSHIBA	类似代替	P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS)

与2SJ168(TE85L,F)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ168_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type
2SJ168TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose
2SJ168W	TOSHIBA	获取价格	Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SJ169	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
2SJ170	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
2SJ171	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 9.7A I(D) \| TO-220AB
2SJ172	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET
2SJ172-E	RENESAS	获取价格	10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
2SJ173	HITACHI	获取价格	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING
2SJ173	NJSEMI	获取价格	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING

与2SJ168(TE85L,F)相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ168(TE85L,F)

2SJ168(TE85L,F) 技术参数

2SJ168(TE85L,F) 数据手册

2SJ168(TE85L,F) 替代型号

与2SJ168(TE85L,F)相关器件

与2SJ168(TE85L,F)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ168(TE85L,F)

2SJ168(TE85L,F) 技术参数

2SJ168(TE85L,F) 数据手册

2SJ168(TE85L,F) 替代型号

与2SJ168(TE85L,F)相关器件

与2SJ168(TE85L,F)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？