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2SJ0164(2SJ164)

更新时间： 2024-11-22 23:20:35

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小信号デバイス－小信号FET －接合形FET

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2SJ0164(2SJ164) 数据手册

シリコン接合形FET (小信号)

2SJ0164 (2SJ164)

シリコンPチャネル接合形

スイッチング用

unit: mm

2SK1104とコンプリメンタリ

4.0 0.2

2.0 0.2

I 特長

G オン抵抗が低い。

0.75 max.

G 低雑音特性

I 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項目

ゲート·ドレイン電圧

ドレイン電流

ゲート電流

記号

V_GDS

I_D

定格

単位

+0.20

0.45

–0.10

+0.20

–0.10

0.45

(2.5) (2.5)

−20

°C

0.7 0.1

I_G

−10

1: Source

2: Gate

3: Drain

許容損失

P_D

300

チャネル部温度

保存温度

T_ch

150

NS-B1 Package

T_stg

−55 ~ +150

°C

I 電気的特性 (Ta = 25°C)

項目

記号

条件

最小

標準

最大

−6

単位

ドレイン·ソースしゃ断電流

ゲート·ソース漏れ電流

ゲート·ドレイン電圧

ゲート·ソースしゃ断電圧

順方向伝達アドミタンス

I_DSS

V_DS= −10V, V_GS= 0

V_GS= 30V, V_DS= 0

− 0.2

I_GSS

V_GDS

V_GSC

| Y_fs|

I_G= 10µA, V_DS= 0

V_DS= −10V, I_D= −10µA

V_DS= −10V, I_D= −1mA, f = 1kHz

V_DS= −10mV, V_GS= 0

1.5

2.5

300

3.5

1.8

Ω

ドレイン·ソース間オン抵抗 R_DS(on)

地) C_iss

出力容量 (ソース接地) C_oss

帰還容量 (ソース接地) C_rsspF

入力容量 (ソース接

V_DS= −10V, V_GS= 0, f = 1MHz pF

I_DSSランク分類

ランク

I_DSS(mA)

− 0.2 ~ −1 − 0.6 ~ −1.5

−1 ~ −3

−2.5 ~ −6

注) ( )内は, 従来品

番です

237

12 3

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