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2SJ0675

更新时间： 2024-11-19 21:17:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 284K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.60 X 1.0 MM, 0.39 MM HEIGHT, ULTRAMINIATURE LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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2SJ0675 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：30 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ0675 数据手册

 浏览型号2SJ0675的Datasheet PDF文件第2页 
Silicon MOSFETs (Small Signal)  
2SJ0675  
Silicon P-channel MOSFET  
For switching circuits  
Unit: mm  
Features  
Low ON resistance Ron  
High-speed switching  
3
2
1
Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for  
Ultraminiature leadless package  
+0.01  
0.39  
1.00±0.05  
−0.03  
0.6 mm
×
1.0 mm (height 0.39 mm)  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
0.25±0.05  
0.25±0.051  
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Gate-source surrender voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
−
30  
Unit  
V
2
3
0.65±0.01  
0.05±0.03  
V
±12  
mA  
mA  
mW  
°
C  
−
100  
Peak drain current  
IDP  
−
200  
1: Gate  
2: Source  
3: Drain  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
PD  
100  
ML3-N2 Package  
T
ch  
125  
Marking Symbol: 6K  
T
stg  
–55 to +125  
°
C  
Electrical Characteristics T
a
= 25
°
C
±
3
°
C  
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Drain-source cutoff current  
Gate-source cutoff current  
Gate threshold voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VDSS  
IDSS  
IGSS  
VTH  
ID
−
10 µA, VGS = 0  
−
30  
VDS
−
20 V, VGS = 0  
−
1.0  
±10  
−
1.5  
30  
µA  
µA  
V
VGS ±10 V, VDS = 0  
ID
−
1.0 µA, VDS
−
3.0 V  
ID
−
10 mA, VGS
−
2.5 V  
ID
−
10 mA, VGS
−
4.0 V  
ID
−
10 mA, VDS
−
3 V, f = 1 kHz  
−
0.5  
−
1.0  
13  
9
Drain-source ON resistance  
Forward transfer admittance  
RDS(on)  
Ω
mS  
pF  
18  
20  
40  
Yfs  
Short-circuit input capacitance  
(Common source)  
Ciss  
12  
13  
7
Short-circuit output capacitance  
(Common source)  
Coss  
Crss  
VDS
−
3 V, VGS = 0, f = 1 MHz  
pF  
pF  
Reverse transfer capacitance  
(Common source)  
Turn-on time
*  
Turn-off time
*  
ton  
toff  
V
DD
−
3V,V
GS
=0Vto
−
3V,I
D
−
10mA  
V
DD
−
3V,V
GS
−
3Vto0V,I
D
−
10mA  
300  
400  
ns  
ns  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : ton , t
off
measurement circuit  
*
VOUT  
280 Ω  
VGS  
10%  
90%  
VGS 0 V to
−
3 V  
90%  
100
µ
F  
V
DD
= −
3.0 V  
10%  
50
Ω  
VOUT  
t
toff  
Publication date: June 2005  
SJF00046AED  
1
12

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