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2SJ0675

更新时间： 2024-02-16 02:21:11

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松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	284K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.60 X 1.0 MM, 0.39 MM HEIGHT, ULTRAMINIATURE LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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2SJ0675 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	30 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ0675 数据手册

Silicon MOSFETs (Small Signal)

2SJ0675

Silicon P-channel MOSFET

For switching circuits

Unit: mm

 Features



Low ON resistance R_on



High-speed switching



Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for

Ultraminiature leadless package

+0.01

0.39

1.00±0.05

−0.03

0.6 mm

1.0 mm (height 0.39 mm)

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25

0.25±0.05

^0.25±0.051

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

−

Unit

0.65±0.01

0.05±0.03

±12

−

100

Peak drain current

I_DP

−

200

1: Gate

2: Source

3: Drain

Drain power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

100

ML3-N2 Package

125

Marking Symbol: 6K

stg

–55 to +125

 Electrical Characteristics T_a= 25

Parameter

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DSS

I_DSS

I_GSS

V_TH

I_D

−

10 µA, V_GS= 0

−

V_DS

−

20 V, V_GS= 0

−

1.0

±10

−

1.5

µA

V_GS±10 V, V_DS= 0

I_D

−

1.0 µA, V_DS

−

3.0 V

I_D

−

10 mA, V_GS

−

2.5 V

I_D

−

10 mA, V_GS

−

4.0 V

I_D

−

10 mA, V_DS

−

3 V, f = 1 kHz

−

0.5

−

1.0

Drain-source ON resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

Ω

Y_fs

Short-circuit input capacitance

(Common source)

C_iss

Short-circuit output capacitance

(Common source)

C_oss

C_rss

V_DS

−

3 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Turn-on time ^*

Turn-off time ^*

t_on

t_off

V_DD

−

3V,V_GS=0Vto

−

3V,I_D

−

10mA

V_DD

−

3V,V_GS

−

3Vto0V,I_D

−

10mA

300

400

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : t_on, t_offmeasurement circuit

V_OUT

280 Ω

V_GS

10%

90%

V_GS0 V to

−

3 V

90%

100

_DD

= −

3.0 V

10%

Ω

V_OUT

t_off

Publication date: June 2005

SJF00046AED

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ101	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220AB	获取价格
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2SJ103-BL	TOSHIBA	TRANSISTOR 14 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1C, SC-43, 3 PIN, FE	获取价格
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