2SJ0536

更新时间： 2024-11-18 22:12:39

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ0536 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ0536 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SJ0536

Silicon P-Channel MOS FET

Secondary battery pack (Li ion battery, etc.)

For switching

unit: mm

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

■ Features

● High-speed switching

● S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-

matic insertion through the tape/magazine packing.

● Low-voltage drive (V_th: −1 to 2V)

● Low Ron

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

V_GSO

I_D

Ratings

−30

Unit

0.2±0.1

±20

1: Gate

2: Source

3: Drain

EIAJ: SC-70

S-Mini Type Package (3-pin)

−100

°C

Max drain current

I_DP

−200

Marking Symbol: 2C

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

150

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Drain current

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

− 0.1

±1

Unit

µA

V_DS= −30V, V_GS= 0

Gate cut-off current

Gate threshold voltage

Forward transfer admittance

Drain to source ON-resistance

Turn-on time

I_GSS

V_GS= ±20V, V_DS= 0

V_th

V_DS= −5V, I_D= −1µA

−1

−2

| Y_fs|

R_DS(on)

t_on

V_DS= −5V, I_D= −10mA

Ω

V_GS= −5V, I_D= −10mA

100

V_DD= −5V, V_GS= −5 to 0V, R_L= 200Ω

µs

Turn-off time

t_off

µs

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