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2SJ0674G

更新时间： 2024-11-19 21:21:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 299K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN

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2SJ0674G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.82配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：30 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ0674G 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Silicon MOS FETs (Small Signal)  
2SJ0674  
Silicon P-channel MOS FET  
For switching circuits  
Features  
Package  
Low ON resistance Ron  
ꢀCode  
High-speed switching  
SSSMini3-F1  
ꢀPin Name  
1: Gate  
SSSMini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing  
2: ource  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Gate-source surrender voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
I
Ratin
-0  
Unit  
V
Marking Symbol: 5U  
V
±
mA  
mA  
mW  
°C  
-
Peak drain current  
IDP  
-200  
Power dissipation  
PD  
100  
Channel temperature  
Storage temperature  
T
h  
125  
T
stg  
–55 to +125  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±
Paraer  
Drain-source surrenltage  
Din-source cutofcurrent  
Gate-ource coff current  
Gate threshold v
Sy
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VDSS  
IDSS  
IGSS  
VTH  
ID = -10 mA, VGS = 0  
-30  
VDS = -20 V, VGS = 0  
-1.0  
±10  
-1.5  
30  
mA  
mA  
V
VGS = ±10 V, VDS = 0  
ID = -1.0 mA, VDS = -3.0 V  
ID = -10 mA, VGS = -2.5 V  
ID = -10 mA, VGS = -4.0 V  
ID = -10 mA, VDS = -3 V, f = 1 kHz  
- 0.5  
-1.0  
13  
9
Drain-source ON resi
Forward transfer admittance  
RDS(on)  
W
mS  
pF  
18  
20  
40  
Yfs  
Short-circuit input capacitance  
(Common source)  
Ciss  
12  
13  
7
Short-circuit output capacitance  
(Common source)  
Coss  
Crss  
VDS = -3 V, VGS = 0, f = 1 MHz  
pF  
pF  
Reverse transfer capacitance  
(Common source)  
Turn-on time *  
Turn-off time *  
ton  
toff  
VDD =-3V,VGS =0Vto-3V,ID =-10mA  
VDD =-3V,VGS =-3Vto0V,ID =-10mA  
300  
400  
ns  
ns  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : ton , toff measurement circuit  
*
VOUT  
280 Ω  
VGS  
10%  
90%  
V
GS = 0 V to −3 V  
90%  
100 µF  
VDD = −3.0 V  
10%  
50 Ω  
VOUT  
ton  
toff  
Publication date: May 2008  
SJF00045BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SJ0675 PANASONIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ101 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
2SJ103 TOSHIBA

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 		P CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER , ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDAN
2SJ103_07 TOSHIBA

获取价格

 		For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current and Impedance Converter Applications
2SJ103BL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SJ103-BL TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 14 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1C, SC-43, 3 PIN, FE
2SJ103GR ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | TO-92
2SJ103Y ETC

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2SJ104 TOSHIBA

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 		P CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANC
2SJ104_07 TOSHIBA

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 		For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current and Impedance Converter Applications

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