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2SJ0674 PDF预览

2SJ0674

更新时间： 2024-11-19 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 328K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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2SJ0674 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：30 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ0674 数据手册

 浏览型号2SJ0674的Datasheet PDF文件第2页 
Silicon MOSFETs (Small Signal)  
2SJ0674  
Silicon P-channel MOSFET  
For switching circuits  
Unit: mm  
+0.05  
–0.02  
+0.05  
0.10  
–0.02  
Features  
0.33  
Low ON resistance Ron  
3
High-speed switching  
SSSMini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing  
+0.05  
1
2
0.23  
–0.02  
(0.40)(0.40)  
0.80±0.05  
1.20±0.05  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Gate-source surrender voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
−
30  
Unit  
V
5°  
V
±12  
mA  
mA  
mW  
°
C  
−
100  
Peak drain current  
IDP  
−
200  
1: Gate  
2: Source  
3: Drain  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
PD  
100  
SSSMini3-F1 Package  
T
ch  
125  
Marking Symbol: 5U  
T
stg  
–55 to +125  
°
C  
Electrical Characteristics T
a
= 25
°
C
±
3
°
C  
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Drain-source cutoff current  
Gate-source cutoff current  
Gate threshold voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VDSS  
IDSS  
IGSS  
VTH  
ID
−
10 µA, VGS = 0  
−
30  
VDS
−
20 V, VGS = 0  
−
1.0  
±10  
−
1.5  
30  
µA  
µA  
V
VGS ±10 V, VDS = 0  
ID
−
1.0 µA, VDS
−
3.0 V  
ID
−
10 mA, VGS
−
2.5 V  
ID
−
10 mA, VGS
−
4.0 V  
ID
−
10 mA, VDS
−
3 V, f = 1 kHz  
−
0.5  
−
1.0  
13  
9
Drain-source ON resistance  
Forward transfer admittance  
RDS(on)  
Ω
mS  
pF  
18  
20  
40  
Yfs  
Short-circuit input capacitance  
(Common source)  
Ciss  
12  
13  
7
Short-circuit output capacitance  
(Common source)  
Coss  
Crss  
VDS
−
3 V, VGS = 0, f = 1 MHz  
pF  
pF  
Reverse transfer capacitance  
(Common source)  
Turn-on time
*  
Turn-off time
*  
ton  
toff  
V
DD
−
3V,V
GS
=0Vto
−
3V,I
D
−
10mA  
V
DD
−
3V,V
GS
−
3Vto0V,I
D
−
10mA  
300  
400  
ns  
ns  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : ton , t
off
measurement circuit  
*
VOUT  
280 Ω  
VGS  
10%  
90%  
V
GS
=
0 V to
−
3 V  
90%  
100
µ
F  
V
DD
= −
3.0 V  
10%  
50 Ω  
VOUT  
t
t
off  
Publication date: June 2005  
SJF00045AED  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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