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2SJ0164P

更新时间： 2024-11-19 21:00:15

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松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, NS-A1, 3 PIN

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2SJ0164P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ0164P 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SJ0164 (2SJ164)

Silicon P-channel junction FET

Unit: mm

4.0 0.2

2.0 ^0.2

For switching circuits

Complementary to 2SK1104

0.75 max.

■ Features

• Low ON resistance

• Low-noise characteristics

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Gate-drain surrender voltage

Drain current

Symbol

V_GDS

I_D

Rating

Unit

+0.20

0.45

–0.10

0.45

–0.10

2.54 ^0.15

(1.27)

0.7 0.1

−20

°C

(1.27)

Gate current

I_G

−10

1: Source

2: Gate

3: Drain

Power dissipation

P_D

300

2 3

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

NS-A1 Package

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Gate-drain surrender voltage

Drain-source cutoff current ^*

Gate-source cutoff current

Gate-source cutoff voltage

Mutual conductance

Symbol

V_GDS

I_DSS

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_G= 10 µA, V_DS= 0

V_DS= −10 V, V_GS= 0

V_GS= 30 V, V_DS= 0

− 0.6

−6.0

I_GSS

V_GSC

g_m

V_DS= −10 V, I_D= −10 µA

1.5

2.5

3.5

V_DS= −10 V, I_D= −1 mA, f = 1 kHz

V_DS= −10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

1.8

C_iss

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

C_rss

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Drain-source ON resistance

R_DS(on)V_DS= −10 mV, V_GS= 0

300

Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. Observe precautions for handling. Electrostatic sensitive devices.

3. : Rank classification

Rank

I_DSS(mA)

− 0.6 to −1.5

−1.0 to −3.0

−2.5 to −6.0

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJF00002BED

12 3

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