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2SD600KF

更新时间: 2024-01-25 04:43:51
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 254K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126

2SD600KF 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.3最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:8 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

2SD600KF 数据手册

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