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2SD2385-B

更新时间： 2024-02-13 03:11:18

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	165K
描述
TRANSISTOR 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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技术参数
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2SD2385-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.85	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	9000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	120 W
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

2SD2385-B 数据手册

2SD2385

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington Power Transistor)

2SD2385

Power Amplifier Applications

Unit: mm

•

High breakdown voltage: V

= 140 V (min)

CEO

Complementary to 2SB1556

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

140

CBO

CEO

EBO

Base current

0.1

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

120

Junction temperature

Storage temperature range

150

°C

JEDEC

JEITA

―

stg

−55 to 150

Equivalent Circuit

TOSHIBA

2-21F1A

Weight: 9.75 g (typ.)

COLLECTOR

BASE

≈ 100 Ω

EMITTER

2004-07-07

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD2385C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-264AA	获取价格
2SD2385-C	TOSHIBA	TRANSISTOR 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General P	获取价格
2SD2386	SAVANTIC	Silicon NPN Darlington Power Transistors	获取价格
2SD2386	TOSHIBA	NPN TRIPLI DIFFUSED TYPE ( POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)	获取价格
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