2SD2389O

更新时间： 2024-02-28 02:39:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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4页	80K
描述
Transistor

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2SD2389O 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	MT-100, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	15000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2389O 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Darlington Power Transistors

2SD2389

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SB1559

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Audio ,regulator and general purpose

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

160

Open base

150

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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