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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 70 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD2386A | TOSHIBA | TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD2386-A | TOSHIBA | 暂无描述 |
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| 2SD2386B | TOSHIBA | TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD2386-B | TOSHIBA | TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe |
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| 2SD2386C | TOSHIBA | TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD2386-C | TOSHIBA | TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe |
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