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2SD2387-C

更新时间: 2024-11-25 12:59:07
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 141K
描述
TRANSISTOR 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

2SD2387-C 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Active
包装说明:LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.27
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:140 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):15000JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:80 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
VCEsat-Max:2.5 VBase Number Matches:1

2SD2387-C 数据手册

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