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2SD2389O

更新时间： 2024-09-25 21:22:39
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN /
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-100, TO-3P, 3 PIN

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2SD2389O 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.4其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：5000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SD2389O 数据手册

  
C
E
Equivalent circuit  
B
Darlington 2 S D2 3 8 9  
(70Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1559)  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Ratings  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
100max  
100max  
150min  
5000min  
2.5max  
3.0max  
80typ  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
160  
VCB=160V  
V
±0.1  
2.0  
9.6  
IEBO  
VEB=5V  
150  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=30mA  
5
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=6A  
IC=6A, IB=6mA  
IC=6A, IB=6mA  
VCE=12V, IE=–1A  
VCB=10V, f=1MHz  
8
1
A
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
A
PC  
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
MHz  
pF  
Tj  
3
COB  
Tstg  
85typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
1.05  
0.65  
1.4  
hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
B
C
E
Weight : Approx 2.0g  
a. Part No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
60  
10  
6
10  
–5  
6
–6  
0.6typ  
10.0typ  
0.9typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
8
6
4
8
3
6
4
2
2
IC=8A  
IC=6A  
0.5mA  
IC=4A  
1
2
0
IB=0.3mA  
0
0
0
2
4
6
0.2 0.5  
1
5
10  
50 100 200  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
40000  
50000  
4
125˚C  
Typ  
25˚C  
10000  
10000  
5000  
1
5000  
–30˚C  
0.5  
1000  
500  
0.2  
1000  
02  
1
5
10  
50 100  
500 1000 2000  
0.5  
1
5
8
0.2  
0.5  
1
5
8
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
120  
100  
80  
80  
20  
10  
5
Typ  
60  
40  
1
60  
0.5  
40  
20  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0.1  
0.05  
0.03  
Without Heatsink  
3.5  
0
–0.02  
–0.1  
–1  
–8  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
149  
1

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