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2SD2387-B

更新时间: 2024-11-25 13:01:07
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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2页 141K
描述
TRANSISTOR 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

2SD2387-B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:140 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):9000
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:80 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHzVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

2SD2387-B 数据手册

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