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2SD2386-C

更新时间： 2024-01-31 05:26:46

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东芝 - TOSHIBA		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	168K
描述
TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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技术参数
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2SD2386-C 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.26
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	15000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	70 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

2SD2386-C 数据手册

2SD2386

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington Power Transistor)

2SD2386

Power Amplifier Applications

Unit: mm

•

High breakdown voltage: V

= 140 V (min)

CEO

Complementary to 2SB1557

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

140

CBO

CEO

EBO

Base current

0.1

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

Junction temperature

Storage temperature range

150

°C

JEDEC

JEITA

―

stg

−55 to 150

Equivalent Circuit

TOSHIBA

2-16C1A

Weight: 4.7 g (typ.)

COLLECTOR

BASE

≈ 100 Ω

EMITTER

2004-07-07

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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