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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2386-A | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SD2386B | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD2386-B | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe |
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| 2SD2386C | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD2386-C | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe |
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| 2SD2387 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SD2387A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SD2387-A | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SD2387B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SD2387-B | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Powe |
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