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2SD2385-B

更新时间： 2024-01-07 17:23:37

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东芝 - TOSHIBA		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	165K
描述
TRANSISTOR 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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2SD2385-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.85	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	9000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	120 W
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

2SD2385-B 数据手册

2SD2385

– V

I – V

C BE

Common emitter

Tc = 25°C

Common emitter

= 5 V

450 400

500

350

300

250

200

100

Tc = −25°C

150

= 100 µA

Collector-emitter voltage

(V)

Base-emitter voltage

(V)

– I

CE (sat)

100000

Common emitter

/I = 250

Common emitter

= 5 V

50000

30000

Tc = 100°C

Tc = −25°C

100

10000

0.5

0.3

5000

3000

−25

0.1

1000

0.05

0.03

500

300

0.03 0.05 0.1

0.3 0.5

Collector current

(A)

100

0.03 0.05

0.1

0.3 0.5

Collector current

(A)

Safe Operating Area

– Ta

140

max (pulsed)*

10 ms*

Tc = Ta Infinite heat sink

120

100

100 ms*

max (continuous)

DC operation

Tc = 25°C

*: Single nonrepetitive pulse

Tc = 25°C

Curves must be derated

linearly with increase in

temperature.

0.5

0.3

CEO

max

100

125

150

175

100

300

Ambient temperature Ta (°C)

Collector-emitter voltage

(V)

2004-07-07

1 234

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