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2SD2343/Q

更新时间： 2024-09-13 20:59:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 63K
描述
1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN

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2SD2343/Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD2343/Q 数据手册

  
2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343  
Transistors  
Power Transistor (120V, 1.5A)  
2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
CEO  
1) High breakdown voltage. (BV  
= 120V)  
2) Low collector output capacitance.  
2SC4132  
4.0  
2.5  
1.0  
0.5  
CB  
(Typ. 20pF at V = 10V)  
(
)
1
T
3) High transition frequency. (f = 80MHz)  
(
)
2
3
4) Complements the 2SB1236.  
(
)
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
120  
120  
2SD1857  
V
6.8  
5
V
2.5  
I
C
2
A
Collector current  
I
CP  
3
A
1
2
*
0.65Max.  
0.5  
*
2SC4132  
2
0.5  
Collector power  
dissipation  
W
2SD1857  
2SD2343  
1
1.5  
( )  
( ) ( )  
1
2 3  
P
C
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
W (Tc = 25°C)  
5
Taping specifications  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
Tstg  
−55~+150  
1
2
Single pulse Pw = 10ms  
When mounted on a 40 × 40 × 0.7mm ceramic board.  
*
ROHM : ATV  
2SD2343  
*
7.8  
3.2  
Tor 3.3  
φ
Rear 3.19  
φ
!Packaging specifications and hFE  
C0.7  
Type  
2SC4132 2SD1857 2SD2343  
1.6  
0.95  
Package  
MPT3  
PQR  
ATV  
PQR  
−
TV2  
2500  
TO-126FP  
1.75  
0.8  
2.3  
hFE  
PQ  
−
−
1000  
Marking  
Code  
CB  
*
2.3  
0.7  
1.76  
T100  
1000  
Basic ordering unit (pieces)  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
( ) ( ) (  
)
1 2  
3
Denotes hFE  
*
ROHM : TO-126FP  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
120  
120  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
80  
20  
−
−
−
V
V
I
I
I
C
C
E
= 50µA  
= 1mA  
= 50µA  
CB = 100V  
EB = 4V  
V
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
82  
82  
−
1
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
1
Collector-emitter saturation voltage  
V
0.4  
390  
270  
−
I
C/I  
B
= 1A/0.1A  
*
*
2SC4132,2SD1857  
2SD2343  
−
−
MHz  
pF  
DC current  
transfer ratio  
hFE  
V
CE/I  
C
= 5V/0.1A  
Transition frequency  
Output capacitance  
f
T
V
V
CE = 5V , I = −0.1A , f = 30MHz  
CB = 10V , IE = 0A , f = 1MHz  
E
Cob  
−
−
Measured using pulse current.  
*
1

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与2SD2343/Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2343/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
2SD2343/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
2SD2343N ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SD2343P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126FP
2SD2343Q ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126FP
2SD2343R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SD2344 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220VAR
2SD2345 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD2345G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SD2345GR PANASONIC

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 		暂无描述

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