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2SD2345JT

更新时间： 2024-11-05 21:10:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 472K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN

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2SD2345JT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SD2345JT 数据手册

 浏览型号2SD2345JT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2345JT的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SD2345J  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low frequency amplification  
Unit: mm  
+0.05  
–0.03  
1.60  
+0.03  
–0.01  
0.12  
1.00±0.05  
Features  
3
High forward current transfer ratio hFE  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
High emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
Low noise voltage NV  
1
2
0.27±02  
0.50)(0.50)  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratin
Unit  
V
5°  
50  
V
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
EIAJ: SC-89  
50  
mA  
mA  
mW  
°
C  
Peak collector current  
ICP  
100  
SSMini3-F1 Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
125  
Marking Symbol: 1Z  
Tj  
125  
Storage temperature  
T
stg  
–5to +125  
°
C  
Electrical Chaistics T
a
= 5
°
C±3
°
C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base oltage (Emittr open)  
Collector-emittee opn)  
Emitter-base voltaopen)  
Collector-base cutoff c(Emitter ope
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio
*  
VCBO I
C
= 10 µA, I
E
= 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO I
E
= 10 µA, I
C
= 0  
40  
V
15  
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VCB = 20 V, I
E
= 0  
VCE = 20 V, IB = 0  
VCE = 10 V, I
C
= 2 mA  
0.1  
1
µA  
µA  
600  
2000  
0.2  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 1 mA  
fT VCB = 10 V, IE = —2 mA, f = 200 MHz  
0.05  
V
120  
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
S
T
hFE  
600 to 1200  
1000 to 2000  
Publication date: November 2005  
SJC00337AED  
1
123

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