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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2345
2SD2345 PDF预览

2SD2345

更新时间： 2024-11-04 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)

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2SD2345 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-75
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SD2345 数据手册

 浏览型号2SD2345的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD2345  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
1.6±0.15  
0.8±0.1  
0.4  
0.4  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
1
●
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
High emitter to base voltage VEBO  
.
3
Low noise voltage NV.  
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
0.2±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
40  
V
15  
V
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–75  
SS–Mini Type Package  
IC  
50  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
125  
Marking symbol : 1Z  
Tj  
125  
Tstg  
–55 ~ +125  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
1
Unit  
nA  
µA  
V
VCB = 20V, IE = 0  
VCE = 20V, IB = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 10µA, IE = 0  
IC = 1mA, IB = 0  
50  
40  
V
IE = 10µA, IC = 0  
VCE = 10V, IC = 2mA  
IC = 10mA, IB = 1mA  
15  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
400  
2000  
0.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.05  
120  
V
Transition frequency  
fT  
V
CB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
MHz  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
400 ~ 800 600 ~ 1200 1000 ~ 2000  
1
12

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2SD2345 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2345G PANASONIC

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