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2SD1993T

更新时间： 2024-11-24 20:14:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN

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2SD1993T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	360
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1993T 数据手册

Transistors

2SD1993

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency and low-noise amplification

Unit: mm

6.9 0.1

(4.0)

2.5 0.1

(0.8)

(0.7)

■ Features

• Low noise voltage NV

• High forward current transfer ratio h_FE

• Allowing supply with the radial taping

0.65 max.

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

+0.10

0.45

–0.05

0.45

–0.05

1.05 ^0.05

2.5 ^0.5

100

2.5 0.5

°C

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Peak collector current

I_CP

200

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

400

MT-1-A1 Package

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 20 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

0.1

µA



I_CEO

h_FE

210

650

V_CE(sat)I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

200

MHz

Noise voltage

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA, G_V= 80 dB

150

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

210 to 340

290 to 460

360 to 650

Publication date: April 2003

SJC00236BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1994A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplifi
2SD1994A	SECOS	获取价格	NPN General Purpose Transistor
2SD1994A	CJ	获取价格	TO-92
2SD1994A-HW	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SD1994AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SIP
2SD1994AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SIP
2SD1994AS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SIP
2SD1994A-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1995	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
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