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2SD1898_09

更新时间： 2024-11-24 06:19:35

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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4页	172K
描述
Power Transistor (80V, 1A)

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2SD1898_09 数据手册

Power Transistor (80V, 1A)

2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) High VCEO, VCEO=80V

2) High IC, IC=1A (DC)

3) Good hFE linearity

4) Low VCE (sat)

2SD1898

+0.2

−0.1

4.5

+0.2

−0.1

1.5

1.6±0.1

5) Complements the 2SB1260 /

2SB1241 / 2SB1181

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

−0.05

0.5±0.1

3.0±0.2

0.4±0.1

1.5±0.1

0.4±0.1

1.5±0.1

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

Structure

Epitaxial planer type

NPN silicon transistor

Abbreviated symbol : DF

2SD1768S

4±0.2

2SD1733

2±0.2

0.2

2.3

6.5

0.2

−

0.1

C0.5

0.2

5.1

−

0.1

0.5±

0.1

+0.15

−0.05

0.45

0.65±0.1

0.75

0.9

0.2 2.3±

+0.15

+0.4

0.55

±0.1

0.45

2.5

0.5

−0.05

−0.1

2.3±

0.2

1.0±0.2

(1) (2) (3)

Taping specifications

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

2SD1863

2.5±0.2

6.8±0.2

0.65Max.

0.5±0.1

(1) (2)

(3)

2.54

1.05

0.45±0.1

Taping specifications

ROHM : ATV

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

www.rohm.com

2009.12 - Rev.C

1/3

12 3 4

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