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2SD1898_12

更新时间： 2024-11-24 07:31:35

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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4页	158K
描述
Power Transistor

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2SD1898_12 数据手册

Power Transistor (80V, 1A)

2SD1898 / 2SD1733

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) High VCEO, VCEO=80V

2) High IC, IC=1A (DC)

3) Good hFE linearity

2SD1898

+0.2

−0.1

4.5

±0.1

1.5

1.6±0.1

4) Low VCE (sat)

5) Complements the 2SB1260 / 2SB1181

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

−0.05

0.5±0.1

3.0±0.2

0.4±0.1

1.5±0.1

0.4±0.1

1.5±0.1

Structure

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

Epitaxial planer type

NPN silicon transistor

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

Abbreviated symbol : DF

2SD1733

0.2

2.3

6.5

0.2

−

0.1

C0.5

0.2

5.1

−

0.1

0.5±

0.65

0.2

±0.1

0.75

0.9

0.2 2.3±

0.55

±0.1

2.3±

1.0±0.2

(1) (2) (3)

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Limits

120

Parameter

Symbol

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

A (DC)

Collector current

A (Pulse)∗1

0.5

2SD1898

∗2

Collector power

dissipation

2SD1733

W (Tc=25°C)

Junction temperature

150

°C

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

∗1 Pw=20ms, duty=1 / 2

∗2 When mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.

www.rohm.com

2012.01 - Rev.E

1/3

12 3 4

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