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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1898-Q | MCC |
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NPN Silicon Power Transistors |
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| 2SD1898-Q | YANGJIE |
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SOT-89 |
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| 2SD1898-Q-TP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COM |
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| 2SD1898-Q-TP-HF | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2SD1898R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| 2SD1898R | BL Galaxy Electrical |
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80V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| 2SD1898-R | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon Power Transistors |
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| 2SD1898R-G | UTC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD1898-R-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COM |
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| 2SD1898-R-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
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