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2SD1898T100/P

更新时间： 2024-11-24 20:04:07

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN

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2SD1898T100/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.23
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1898T100/P 数据手册

Power Transistor (80V, 1A)

2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863

zFeatures

zDimensions (Unit : mm)

1) High VCEO, VCEO=80V

2) High IC, IC=1A (DC)

3) Good hFE linearity

4) Low VCE (sat)

2SD1898

+0.2

−0.1

4.5

+0.2

−0.1

1.5

1.6±0.1

5) Complements the 2SB1260 /

2SB1241 / 2SB1181

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

−0.05

0.5±0.1

3.0±0.2

0.4±0.1

1.5±0.1

0.4±0.1

1.5±0.1

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

zStructure

Epitaxial planer type

NPN silicon transistor

Abbreviated symbol : DF

2SD1768S

4±0.2

2SD1733

2±0.2

0.2

2.3

6.5

0.2

−

0.1

C0.5

0.2

5.1

−

0.1

0.5±

0.1

+0.15

−0.05

0.45

0.65±0.1

0.75

0.9

0.2 2.3±

+0.15

+0.4

0.55

±0.1

0.45

2.5

0.5

−0.05

−0.1

2.3±

0.2

1.0±0.2

(1) (2) (3)

Taping specifications

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

2SD1863

2.5±0.2

6.8±0.2

0.65Max.

0.5±0.1

(1) (2)

(3)

2.54

1.05

0.45±0.1

Taping specifications

ROHM : ATV

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

www.rohm.com

2009.05 - Rev.B

1/3

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