2SD1899

更新时间： 2024-01-26 12:41:38

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WEITRON		晶体晶体管
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4页	609K
描述
NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

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2SD1899 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SD1899 数据手册

2SD1899

NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

P b

Lead(Pb)-Free

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

D-PAK(TO-252)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Units

Value

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

℃

P_C

T_J

150

-55-150

T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

V_(BR)CBOI_C=100μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100μA,I_C=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_CBO

I_EBO

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CB=60V,I_E=0

μA

Emitter cut-off current

V_EB=7V,I_C=0

V_CE=2V,I_C=200mA

V_CE=2V,I_C=600mA

V_CE=2V,I_C=2A

100

DC current gain

400

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=1.5A,I_B=150mA

V_CE=5V,I_C=1.5A

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

0.25

1.2

120

MHz

Collector output capacitance

Turn on Time

C_ob

t_on

0.5

2.0

0.5

V_CC=10V,I_C=1A,I_B1=-I_B2=-0.1A

μs

Switching Time

t_stg

Storage Time

Fall Time

t_f

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

100-200

160-320

200-400

Range

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/4

13-Oct-08

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1899-K	MCC	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Transistor
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2SD1899L	FOSHAN	获取价格	TO-126F
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2SD1899-L-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD1899M	ETC	获取价格	BJT
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