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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1898-Q
2SD1898-Q PDF预览

2SD1898-Q

更新时间： 2024-01-14 06:15:20
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 210K
描述
NPN Silicon Power Transistors

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2SD1898-Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：82JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

2SD1898-Q 数据手册

 浏览型号2SD1898-Q的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SD1898-P  
2SD1898-Q  
2SD1898-R  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
·
High VCEO, VCEO=80V  
High IC, IC=1.0A(DC)  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN Silicon  
Power Transistors  
ꢀ
·
·
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings  
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
SOT-89  
ꢀ
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, DC  
Value  
100  
80  
5.0  
1.0  
2.0  
0.5  
2.0  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
B
V
K
ꢀ
ꢀ
A
(1)  
ꢀ
ꢀ
Pulse  
Collector Power Dissipation(2)  
ꢀ
ꢀ
PC  
W
ꢀ
ꢀ
E
TJ  
TSTG  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
OC  
OC  
ꢀ
ꢀ
C
ꢀ
ꢀ
D
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
G
H
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
J
ꢀ
ꢀ
F
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
ꢀ
VCEO  
VCBO  
VEBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80  
100  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
(I =1.0mAdc)  
C
ꢀ
ꢀ
Collector-Base Breakdow n Voltage  
ꢀ
ꢀ
(I =50uAdc)  
C
1. OUT  
2. GND  
3. IN  
ꢀ
ꢀ
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
---  
Vdc  
1
2
3
(I =50uAdc)  
ꢀ
ꢀ
E
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=80Vdc)  
---  
1.0  
1.0  
390  
0.4  
---  
uAdc  
uAdc  
---  
CBO  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
I
Emitter Cutoff Current  
---  
---  
EBO  
(VEB=4.0Vdc, I =0)  
C
hFE  
DC Current Transfer Ratio(3)  
82  
---  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
(VCE=3.0Vdc, I =0.5Adc)  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
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ꢆ
C
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ꢇꢀꢁꢆ  
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1.55  
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ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
0.15  
100  
Vdc  
MHz  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
(I /IB=500mA/20mA)  
C
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
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ꢞꢆ  
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ꢍꢎꢎꢑꢆ  
ꢍꢕꢎꢐꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢗꢗꢆ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
ꢍꢕꢐꢓꢆ  
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ꢘꢍꢐꢒꢆ  
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ꢎꢍꢒꢕꢆ  
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ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
Transition Frequency  
---  
ꢆ
(VCE=10Vdc, I =50mAdc,  
E
ꢆ
f=100MHz)  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
C
ob  
Output Capacitance  
---  
20  
---  
pF  
(VCB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
E
 ꢆ  
(1) Pw=20ms, duty=1/2  
(2) When mounted on a 40x40x0.7mm ceramic board.  
(3) Measured using pulse current  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
82-180  
120-270  
180-390  
DF  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与2SD1898-Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1898-Q-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COM
2SD1898-Q-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SD1898R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
2SD1898R BL Galaxy Electrical

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 		80V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
2SD1898-R MCC

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 		NPN Silicon Power Transistors
2SD1898R-G UTC

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 		暂无描述
2SD1898-R-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COM
2SD1898-R-TP-HF MCC

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 		暂无描述
2SD1898T100/P ROHM

获取价格

 		1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
2SD1898T100/PQ ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon

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