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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1898-P-TP
2SD1898-P-TP PDF预览

2SD1898-P-TP

更新时间： 2024-11-09 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 210K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SD1898-P-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：82JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SD1898-P-TP 数据手册

 浏览型号2SD1898-P-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SD1898-P  
2SD1898-Q  
2SD1898-R  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
·
High VCEO, VCEO=80V  
High IC, IC=1.0A(DC)  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN Silicon  
Power Transistors  
ꢀ
·
·
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
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ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
SOT-89  
ꢀ
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, DC  
Value  
100  
80  
5.0  
1.0  
2.0  
0.5  
2.0  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
B
V
K
ꢀ
ꢀ
A
(1)  
ꢀ
ꢀ
Pulse  
Collector Power Dissipation(2)  
ꢀ
ꢀ
PC  
W
ꢀ
ꢀ
E
TJ  
TSTG  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
OC  
OC  
ꢀ
ꢀ
C
ꢀ
ꢀ
D
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
G
H
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
J
ꢀ
ꢀ
F
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
ꢀ
VCEO  
VCBO  
VEBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80  
100  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
(I =1.0mAdc)  
C
ꢀ
ꢀ
Collector-Base Breakdow n Voltage  
ꢀ
ꢀ
(I =50uAdc)  
C
1. OUT  
2. GND  
3. IN  
ꢀ
ꢀ
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
---  
Vdc  
1
2
3
(I =50uAdc)  
ꢀ
ꢀ
E
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=80Vdc)  
---  
1.0  
1.0  
390  
0.4  
---  
uAdc  
uAdc  
---  
CBO  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
I
Emitter Cutoff Current  
---  
---  
EBO  
(VEB=4.0Vdc, I =0)  
C
hFE  
DC Current Transfer Ratio(3)  
82  
---  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
(VCE=3.0Vdc, I =0.5Adc)  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
ꢆ
C
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ꢇꢉꢊꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
1.55  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
VCE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
0.15  
100  
Vdc  
MHz  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
(I /IB=500mA/20mA)  
C
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
ꢃꢆ  
ꢞꢆ  
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ꢍꢕꢓꢘꢆ  
ꢍꢎꢎꢑꢆ  
ꢍꢕꢎꢐꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢗꢗꢆ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
ꢍꢕꢐꢓꢆ  
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ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
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ꢕꢍꢑꢕꢆ  
ꢘꢍꢐꢒꢆ  
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ꢕꢍꢐꢐꢆ  
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ꢎꢍꢒꢕꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
Transition Frequency  
---  
ꢆ
(VCE=10Vdc, I =50mAdc,  
E
ꢆ
f=100MHz)  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
C
ob  
Output Capacitance  
---  
20  
---  
pF  
(VCB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
E
 ꢆ  
(1) Pw=20ms, duty=1/2  
(2) When mounted on a 40x40x0.7mm ceramic board.  
(3) Measured using pulse current  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
82-180  
120-270  
180-390  
DF  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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2SD1898-P-TP-HF MCC

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