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2SD1898P-G

更新时间： 2024-11-24 21:10:07

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Transistor

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2SD1898P-G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1898P-G 数据手册

2SD1898

Epitaxial Planar NPN Transistors

* “G” Lead(Pb)-Free

SOT-89

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

(Ta=25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Limits

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

100

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

Vdc

A(DC)

A (Pulse)*

EBO

Collector Current

0.5

Collector Power Dissipation

T ,

Tstg

Junction Temperature,

Storage Temperature

150, -55 to +150

* Single pulse Pw = 20ms

(Ta=25 unless otherwise noted )

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Min

Typ

Symbol

Max

Unit

100

Collector-Base Breakdown Voltage(Ic=50uA, I =0)

CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage(Ic=1mA,I =0 )

CEO

EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage(I =50uA, I =0)

Collector Cutoff Current(V =80V, I =0)

CBO

EBO

Emitter Cutoff Current(V =4V, I =0)

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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