2SD1820G

更新时间： 2024-09-09 13:01:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1820G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.81
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1820G 数据手册

Transistor

2SD1820, 2SD1820A

Silicon NPN epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

Complementary to 2SB1219 and 2SB1219A

2.1±0.1

Features

■

0.425

1.25±0.1

0.425

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SD1820

2SD1820A

2SD1820

V_CBO

base voltage

Collector to

0.2±0.1

V_CEO

emitter voltage 2SD1820A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

1:Base

2:Emitter

3:Collector

EIAJ:SC–70

500

˚C

S–Mini Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

(2SD1820)

(2SD1820A)

Marking symbol : W

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= 20V, I_E= 0

0.1

µA

Collector to base

voltage

2SD1820

2SD1820A

V_CBO

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SD1820

V_CEO

V_EBO

I_C= 2mA, I_B= 0

voltage

2SD1820A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 10V, I_C= 150mA^*2

V_CE= 10V, I_C= 500mA^*2

I_C= 300mA, I_B= 30mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –50mA^*2, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

160

340

0.6

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.35

200

MHz

Transition frequency

f_T

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

85 ~ 170

120 ~ 240

170 ~ 340

2SD1820

Marking

Symbol

2SD1820A

中文翻译

下载PDF

与2SD1820G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1820GQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1820GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1820GS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1820Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236VAR
2SD1820-Q	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1820R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236VAR
2SD1820-R	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1820S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236VAR
2SD1820-S	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1821	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise a

与2SD1820G相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

62
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

51
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

84
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

93

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1820G

2SD1820G 技术参数

2SD1820G 数据手册

与2SD1820G相关器件

与2SD1820G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1820G

2SD1820G 技术参数

2SD1820G 数据手册

与2SD1820G相关器件

与2SD1820G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？