5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1821G
2SD1821G PDF预览

2SD1821G

更新时间： 2024-01-26 22:00:18
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 185V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD1821G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：185JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD1821G 数据手册

 浏览型号2SD1821G的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD1821, 2SD1821A  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For high breakdown voltage low-frequency and low-noise  
amplification  
Unit: mm  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
2.1±0.1  
■
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
●
.
●
●
Low noise voltage NV.  
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
Ratings  
150  
Unit  
Collector to  
2SD1821  
2SD1821A  
2SD1821  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
185  
0.2±0.1  
150  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1821A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
185  
1:Base  
VEBO  
ICP  
IC  
5
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S–Mini Type Package  
100  
50  
(2SD1821)  
(2SD1821A)  
Marking symbol : P  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
L
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = 100V, IE = 0  
1
µA  
Collector to emitter 2SD1821  
150  
185  
5
VCEO  
IC = 100µA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SD1821A  
Emitter to base voltage  
VEBO  
IE = 10µA, IC = 0  
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 5V, IC = 10mA  
130  
330  
1
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 30mA, IB = 3mA  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
150  
Collector output capacitance  
Cob  
2.3  
Noise voltage  
NV  
150  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
130 ~ 220  
PR  
185 ~ 330  
PS  
2SD1821  
Marking  
Symbol  
2SD1821A  
LR  
LS  
1
12

中文翻译

下载PDF

与2SD1821G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1821GR PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 185V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS
2SD1821H PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
2SD1821R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236
2SD1821-R KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SD1821S PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70
2SD1821-S KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SD1821TX PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
2SD1823 TYSEMI

获取价格

 		High forward current transfer ratio hFE. Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
2SD1823 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1823 KEXIN

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Planar Type

与2SD1821G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证