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2SD1824G

更新时间： 2024-02-14 20:22:08
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 279K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SD1824G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：90 MHz
Base Number Matches：1

2SD1824G 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SD1824G  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low-frequency amplification  
■ Features  
■ Package  
• High forward current transfer ratio hFE  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• High emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment  
and automatic insertion through the tape packing ad the maga-  
zine packing.  
•
Code  
SMini3-F2  
MarkinSymbol: 1V  
Pin
1: B
•
•
mitt
: Colector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbo
CBO  
VCEO  
EBO  
IC  
ing  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base
Emitter-base voltage (Coltor on)  
Collector current  
100  
100  
V
20  
V
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak collecor current  
ICP  
50  
Collector powedissiation  
Junction emeratue  
150  
150  
torage tempre  
−55 to +150  
°C  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
ter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
100  
100  
15  
Typ  
Max  
Unit  
V
CollectorEmitter open)  
Collector-emiage (Base opn)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio *  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 1 mA, IB = 0  
V
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 60 V, IE = 0  
VCE = 60 V, IB = 0  
VCE = 10 V, IC = 2 mA  
V
0.1  
1
µA  
µA  
ICEO  
hFE  
400  
1200  
0.20  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 1 mA  
fT VB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
0.05  
90  
V
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
R
S
hFE  
400 to 800  
600 to 1 200  
Publication date: May 2007  
SJC00376AED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1824R ETC

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2SD1824S ETC

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