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2SD1825

更新时间： 2024-01-05 21:29:32

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	214K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1825 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	20 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V

2SD1825 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1825

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SB1223

·High DC current gain.

·Large current capacity and wide ASO.

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For use in control of motor drivers, printer

hammer drivers, and constant-voltage

regulators.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3

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