2SD1826

更新时间： 2024-02-23 02:27:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	217K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD1826 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

2SD1826 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1826

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 2000(Min)@ (V_CE= 2V, I_C= 3.5A)

·Large Current Capability and Wide ASO.

·Complement to Type 2SB1224

APPLICATIONS

·Designed for use in control of motor drivers, printer

hammer drivers, relay drivers,and constant-voltage

regulators.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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