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2SD1821S

更新时间： 2024-09-23 20:26:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, 3 PIN

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2SD1821S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：185JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD1821S 数据手册

 浏览型号2SD1821S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1821S的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SD1821, 2SD1821A  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
For high breakdown voltage low-frequency and low-noise  
amplification  
+0.10  
–0.05  
+0.1  
–0.0  
0.15  
0.3  
3
■ Features  
• High collector to emitter voltage VCEO  
• Low noise voltage NV  
• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment  
1
2
(0.65) (0.65)  
1.3±0.1  
2.0±0.2  
automatic insertion through the tape packing and the maga-  
and  
zine packing  
10°  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
1: Base  
2: Emitter  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
3: Collector  
EIAJ: SC-70  
SMini3-G1 Package  
2SD1821  
2SD1821A  
2SD1821  
2SD1821A  
VCBO  
150  
185  
V
Collector to  
base voltage  
VCEO  
150  
V
Collector to  
Marking symbo：l P (2SD1821)  
L (2SD1821A)  
emitter voltage  
185  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
5
V
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
50  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
CB = 100 V, IE = 0  
C = 100 µA, IB = 0  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
V
1
2SD1821  
VCEO  
I
150  
185  
5
Collector to emitter  
voltage  
2SD1821A  
Emitter to base voltage  
VEBO  
hFE  
IE = 10 µA, IC = 0  
CE = 5 V, IC = 10 mA  
C = 30 mA, IB = 3 mA  
V
Forward current transfer ratio *  
Collector to emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
130  
330  
1
VCE(sat)  
fT  
I
V
MHz  
pF  
V
V
V
CB = 10 V, IE = −10 mA, f = 200 MHz  
150  
2.3  
Collector output capacitance  
Noise voltage  
Cob  
CB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
NV  
CE = 10 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB  
150  
mV  
Rg = 100 kΩ, Function = FLAT  
Note) : hFE Rank classification  
*
Rank  
R
S
185 to 330  
PS  
hFE1  
130 to 220  
2SD1821  
2SD1821A  
PR  
LR  
Marking  
symbol  
LS  
Publication date: April 2002  
SJC00228BED  
1
123

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与2SD1821S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1821-S KEXIN

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 		NPN Transistors
2SD1821TX PANASONIC

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 		暂无描述
2SD1823 TYSEMI

获取价格

 		High forward current transfer ratio hFE. Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
2SD1823 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1823 KEXIN

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SD1823G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SD1823GR PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SD1823G-S PANASONIC

获取价格

 		50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
2SD1823GT PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SD1823G-T PANASONIC

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 		50mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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