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2SD1651_2015

更新时间： 2024-11-05 01:15:55

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1651_2015 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD1651

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·Built-in damper diode

·High breakdown voltage

·High speed switching

APPLICATIONS

·For color TV horizontal output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc=25℃

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

800

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

T_j

T_stg

-55~150

JMnic

12 3

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