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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 18000 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1162L | ISC |
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Transistor |
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| 2SD1162M | ISC |
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Transistor |
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| 2SD1163 | THINKISEMI |
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NPN Silicon Epitaxial Power Transistor |
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| 2SD1163 | RENESAS |
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Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1163 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1163 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1163 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1163|2SD1163A | ETC |
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| 2SD1163A | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1163A | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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