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2SD1162M

更新时间： 2024-11-30 19:22:19

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无锡固电 - ISC		/
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2页	111K
描述
Transistor

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2SD1162M 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1162M 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1162

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 400(Min.)@I_C= 2A

·High Switching Speed

·Low Collector Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for high voltage, low speed switching industrial

use.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

500

300

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current-Continuous

0.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SD1163	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1163	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SD1163\|2SD1163A	ETC	获取价格
2SD1163A	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
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