2SD0638

更新时间： 2024-11-20 21:55:19

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描述
For Medium-Power General Amplification

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2SD0638 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SD0638 数据手册

Transistors

2SD0638 (2SD638)

Silicon NPN epitaxial planar type

For medium-power general amplification

Complementary to 2SB0643 (2SB643)

Unit: mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

■ Features

R 0.9

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R 0.7

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.85)

0.55 0.1

0.45 0.05

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

1: Base

2: Collector

3: Emitter

(2.5) (2.5)

0.5

Peak collector current

I_CP

600

M-A1 Package

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Base-emitter saturation voltage

Forward current transfer ratio

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 20 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 10 mA

V_CE= 10 V, I_C= 500 mA

0.1

µA



I_CEO

h_FE1

340

h_FE2

0.35

200

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 300 mA, I_B= 30 mA

0.6

MHz

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

85 to 170

120 to 240

170 to 340

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: November 2002

SJC00193BED

12 3

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