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2SD0661S

更新时间： 2024-11-25 20:35:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 592K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, SC-71, 3 PIN

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2SD0661S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-71
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：35 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：290JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SD0661S 数据手册

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Transistor  
2SD0661, 2SD0661A (2SD661, 2SD661A)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency and low-noise amplification  
Unit: mm  
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.5  
1.5 R0.9  
1.0  
R9  
Features  
Low noise voltage NV.  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
●
.
R0.7  
●
M type package allowing easy automatic and manuainsertin as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit boar.  
85  
0.55±0.1  
0.45±0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta=2˚C)  
■
Parameter  
2SD0661  
Symbol  
Rings  
Unit  
3
2
1
Collector to  
35  
V
base voltage  
Collector to  
2SD0661A  
2SD061  
2SD0661A  
55  
2.5  
2.5  
35  
55  
EO  
V
emitter voltage  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Emitter to base volage  
Peak collector cent  
Collector currnt  
O  
ICP  
IC  
7
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
20  
00  
Collector per disipation  
Junion ture  
Sorage rature  
PC  
0  
Tj  
150  
stg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteriscs (Ta=25˚C)  
■
mete
Symbol  
ICBO  
Conditins  
min  
typ  
max  
0.1  
1
Unit  
µA  
VCB = 20V, IE = 0  
Collent  
ICEO  
VCE = 20V, IB = 0  
µA  
Collector te  
voltage  
2SD0661  
2SD0661A  
35  
55  
35  
55  
7
VCBO  
IC = 10µA, IE = 0  
V
2SD  
Type  
Collector to emitter 2SD0661  
VCEO  
VEBO  
IC = 2mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SD0661A  
Emitter to base voltage  
IE = 10µA, IC = 0  
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
V
CE = 10V, IC = 2mA  
210  
650  
1
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 100mA, IB = 10mA  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
200  
MHz  
Noise voltage  
NV  
150  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
210 ~ 340  
290 ~ 460  
360 ~ 650  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional  
part number.  
551  
1234

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与2SD0661S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD0661T PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SD0662 PANASONIC

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 		For High Breakdown Voltage General Amplification
2SD0662(2SD662) ETC

获取价格

 		小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SD0662/2SD0662B(2SD662/2SD662B) ETC

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 		2SD0662. 2SD0662B (2SD662. 2SD662B) - NPN Transistor
2SD0662B PANASONIC

获取价格

 		For High Breakdown Voltage General Amplification
2SD0662B(2SD662B) ETC

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 		小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SD0662BP ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SC-71
2SD0662BQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SC-71
2SD0662BR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SC-71
2SD0662P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SC-71

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