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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD0814A
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2SD0814A

更新时间： 2024-11-20 22:12:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管ISM频段放大器
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
For High Breakdown Voltage Low-Frequency And Low-Noise

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2SD0814A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：185 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：90JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SD0814A 数据手册

 浏览型号2SD0814A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD0814A的Datasheet PDF文件第3页 
Transistors  
2SD0814A (2SD814A)  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high breakdown voltage low-frequency and low-noise  
amplification  
Unit: mm  
+0.10  
–0.05  
0.40  
+0.10  
0.16  
–0.06  
3
■ Features  
• High collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
• Low noise voltage NV  
1
2
• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
(0.95) (0.95)  
1.9 0.1  
+0.20  
2.90  
–0.05  
10˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
185  
185  
V
EIAJ: SC-59  
Mini3-G1 Package  
5
50  
V
mA  
mA  
mW  
°C  
Marking Symbo：l L  
Peak collector current  
ICP  
100  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
185  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Forward current transfer ratio *  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IC = 100 µA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
VCB = 100 V, IE = 0  
VCE = 5 V, IC = 10 mA  
1
330  
1
µA  
hFE  
90  
VCE(sat) IC = 30 mA, IB = 3 mA  
V
fT  
VCB = 10 V, IE = −10 mA, f = 200 MHz  
150  
2.3  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
(Common base, input open circuited)  
Noise voltage  
NV  
VCE = 10 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB  
150  
mV  
Rg = 100 kΩ, Function = FLAT  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE  
90 to 155  
130 to 220  
185 to 330  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: January 2003  
SJC00196CED  
1
123

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