2SD0875

更新时间： 2024-11-16 22:12:39

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管光电二极管放大器
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描述
For Low-Frequency Power Amplification

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2SD0875 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.81	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SD0875 数据手册

Transistors

2SD0875 (2SD875)

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SB0767 (2SB767)

Unit: mm

4.5 0.1

1.6 0.2

1.5 0.1

■ Features

• Large collector power dissipation P_C

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Mini power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

0.4 0.08

1.5 ^0.1

0.5 0.08

0.4 0.04

3˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

45˚

3.0 0.15

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

1: Base

2: Collector

3: Emitter

MiniP3-F1 Package

0.5

Marking Symbol: X

Peak collector current

I_CP

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

Note) : Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the

board thickness of 1.7 mm for the collector portion

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

I_C= 10 µA, I_E= 0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio

I_C= 100 µA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

0.1

µA



h_FE1

V_CE= 10 V, I_C= 150 mA

V_CE= 50 V, I_C= 500 mA

130

330

h_FE2

100

0.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 300 mA, I_B= 30 mA

V_BE(sat)I_C= 300 mA, I_B= 30 mA

0.4

1.2

0.85

120

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

130 to 220

185 to 330

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: November 2002

SJC00198CED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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