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2SD0946B(2SD946B)

更新时间： 2024-11-19 23:20:23

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パワーデバイス－パワートランジスタ－その他

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パワートランジスタ

2SD0946 (2SD946), 2SD0946A (2SD946A),

2SD0946B (2SD946B)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形ダーリントン

Unit : mm

低周波増幅用

+0.5

8.0

–0.1

3.2 0.2

■ 特ꢀ長

φ 3.16 ^0.1

•

直

流電流増幅率h_FEが高く設計されているので，モータドラ

イブ，プリンタ用ハンマドライブなどに適している

ドライバにはシャント抵抗を省いている

•

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

100

単位

2SD0946

2SD0946A

2SD0946B

2SD0946

2SD0946A

2SD0946B

V_CBO

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

0.5 0.1

1.76 0.1

電圧(B 開放時)

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

内部接続図

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

TO-126B-A1 Package

コレクタ電流

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

合温度

I_C

I_CP

P_C

T_j

1.5

1.2

接

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

≈ 200 Ω

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間

2SD0946

2SD0946A

2SD0946B

2SD0946

2SD0946A

2SD0946B

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 100 µA, I_E= 0

電圧(E 開放時)

100

I_C= 1 mA, I_B= 0

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

I_E= 100 µA, I_C= 0

V_CB= 25 V, I_E= 0

V_EB= 4 V, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 1 A

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

0.1

µA

1, 2

直

流電流増幅率

h_FE

4000

40 000



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

V_CE(sat)I_C= 1 A, I_B= 1 mA

V_BE(sat)I_C= 1 A, I_B= 1 mA

1.8

ベース・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

2.2

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

150

MHz

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. 1 : パルス測定

2 : ランク分類

ランク

h_FE

4000 ∼ 10000 8000 ∼ 20000 16000 ∼ 40000

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年5月

SJD00164BJD

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD0946B\|2SD946B	ETC	获取价格	Power Device - Power Transistors - Others
2SD0946BQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946BR	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-126
2SD0946Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946R	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946S	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0958	PANASONIC	获取价格	For Low-Frequency And Low-Noise Amplification
2SD0958(2SD958)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅
2SD0958R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SC-71

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