5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD0946AS
2SD0946AS PDF预览

2SD0946AS

更新时间： 2024-11-18 20:28:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD0946AS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：16000
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD0946AS 数据手册

 浏览型号2SD0946AS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD0946AS的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SD0946 (2SD946), 2SD0946A (2SD946A),  
2SD0946B (2SD946B)  
Silicon NPN epitaxial planar type darlington  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
+0.5  
8.0  
–0.1  
3.2 0.2  
φ 3.16 0.1  
■ Features  
• Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is appro-  
priate to the driver circuit of motors and printer hammer.  
• A shunt resistor is omitted from the driver.  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
2SD0946  
2SD0946A  
2SD0946B  
2SD0946  
2SD0946A  
2SD0946B  
VCBO  
30  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
60  
0.75 0.1  
4.6 0.2  
100  
0.5 0.1  
2.3 0.2  
0.5 0.1  
1.76 0.1  
VCEO  
25  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
50  
1
2
3
80  
TO-126B-A1 Package  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
5
V
A
Internal Connection  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
1
1.5  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
A
C
1.2  
W
°C  
°C  
B
150  
Tstg  
−55 to +150  
≈ 200 Ω  
Typ  
E
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
Symbol  
Conditions  
Min  
30  
60  
100  
25  
50  
80  
5
Max  
Unit  
2SD0946  
2SD0946A  
2SD0946B  
2SD0946  
2SD0946A  
2SD0946B  
VCBO  
IC = 100 µA, IE = 0  
V
VCEO  
IC = 1 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
IE = 100 µA, IC = 0  
VCB = 25 V, IE = 0  
VEB = 4 V, IC = 0  
VCE = 10 V, IC = 1 A  
V
µA  
µA  
0.1  
0.1  
1, 2  
Forward current transfer ratio *  
4000  
40 000  
1.8  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 1 A, IB = 1 mA  
VBE(sat) IC = 1 A, IB = 1 mA  
V
1
Base-emitter saturation voltage *  
2.2  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
150  
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE  
4000 to 10000 8000 to 20000 16000 to 40000  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: February 2004  
SJD00164CED  
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SD0946AS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD0946B PANASONIC

获取价格

 		For Low-Frequency Amplification
2SD0946B(2SD946B) ETC

获取价格

 		パワーデバイス － パワートランジスタ － その他
2SD0946B|2SD946B ETC

获取价格

 		Power Device - Power Transistors - Others
2SD0946BQ PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946BR PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946BS ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126
2SD0946Q PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946R PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0946S PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
2SD0958 PANASONIC

获取价格

 		For Low-Frequency And Low-Noise Amplification

与2SD0946AS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证